パワー半導体|技術セミナー ,シリコンデバイス,開発,技術,動向,研究,評価,市場動向,パワーデバイス,IGBT,次世代,構造,スイッチング

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  さらなる省エネルギー化を目指して
次世代パワー半導体デバイス開発と最新技術動向
 
次世代パワー半導体デバイス開発と最新技術動向
今日、電力変換デバイスには、効率の良い電力変換や省エネルギー対策が全世界的に求められています。パワーデバイスの性能をより向上させることにより、低損失大電力システムや低燃費燃焼システムの開発が可能となりました。
本セミナーでは、次世代パワー半導体の最新開発動向、並びに最近特に注目を集めているIGBTについて体系的に解説いたします。
対象:パワーエレクトロニクスメーカ、パワーデバイスメーカ、自動車電装部品メーカ、電力会社など企業の研究、開発、技術、設計部門の方々。
■講演会の概要
●日 時 2010年5月18日(火) 14:00〜17:15
●会 場 全国家電会館
<東京都文京区湯島3-6-1>  会場地図はこちら
※急ぎのご連絡は(株)メガセミナー・サービス(TEL06-6363-3372)まで!!
●受講料 35,700円(1人/税込み)
※資料代を含む
4/18迄
 早割適用
 受講料
33,915円(税込)/1人
※『早割制度』…開催日の1ヶ月前までにお申し込みの方に限り、
受講料を5%割引いたします。
●主 催 (株)エヌ・ティー・エス
●講 師 独立行政法人産業技術総合研究所
エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
主任研究員 岩室 憲幸
■講演会のプログラム内容
■次世代パワー半導体デバイス開発と最新技術動向

●時 間14:00〜17:15 
●内容
現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか?
IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か?またシリコンではなく、SiCやGaNを用いたデバイスか?
本セミナーでは、最近特に注目を集めているIGBTについて、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に紹介し、「IGBTはなぜオン電圧が低いのか」「なぜスイッチング損失が少ないのか」「そしてなぜ壊れにくいのか」など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。興味あるテーマについて議論できればと考えている。

1.パワーデバイスの現状
2.パワーデバイス開発の歴史
  ・IGBT開発の歴史
  ・パワーデバイス シミュレーション技術
3.IGBT動作
4.IGBT 最新技術とその応用および今後の動向
5.新材料によるパワーデバイスの開発
  ・SiC パワーデバイスの開発
  ・GaN パワーデバイスの開発
6.まとめ
 
 
 
“水処理技術者”声の報告会
世界人口爆発による食糧増産、或いは途上国の急速な都市化により、水資源が不足、世界の水ビジネス市場が急拡大している!!
私たちの報告会では、欧州水メジャーの動向をはじめ、淡水化技術、排水の再利用技術から市場参入に繋がるビジネスチャンスをテーマに、第一線でご活躍の講師陣や先端技術者の意見、アンケートを通して、セミナーでも聞けなかった生の声情報を期間限定にてお届けします。
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